السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
اخوتي الكرام في هذا المنتدي طلبي منكم اليوم هو معرفة خصائص ترانزستور
مكتوب فيه BN1S2U وجدته شورت في كل الاطراف
طلب مساعدة للحصول على datasheet خاص بـ ترانزستور BN1S2U
- mhmd193
- عضو VIP
- مشاركات: 354
- اشترك في: الثلاثاء 23 فبراير 2021 4:16 pm
- الدولة: سورية
- قد شكر: 151 مرات
- تم شكره: 249 مرات
Re: طلب مساعدة للحصول على datasheet خاص بـ ترانزستور BN1S2U
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 268 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 75 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 100 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 114 nC
Rise Time (tr): 39 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 400 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0105 Ohm
Package: TO-220
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 268 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 75 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 100 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
Total Gate Charge (Qg): 114 nC
Rise Time (tr): 39 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 400 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0105 Ohm
Package: TO-220
من يعرف المزيد من الحقيقة تداهمه الشيخوخة قبل الاوان