الفارابي للإلكترونيات

السلام عليكم ورحمة الله وبركاته
اخوتي الكرام في هذا المنتدي طلبي منكم اليوم هو معرفة خصائص ترانزستور
مكتوب فيه BN1S2U وجدته شورت في كل الاطراف

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 268 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 75 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 25 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V

Maximum Drain Current |Id|: 100 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C

Total Gate Charge (Qg): 114 nC

Rise Time (tr): 39 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 400 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.0105 Ohm

Package: TO-220

يارك الله فيك اخي mhmd193